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IDT70V525ML55BZ

产品描述Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, FBGA-144
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文件大小189KB,共13页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V525ML55BZ概述

Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, FBGA-144

IDT70V525ML55BZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码BGA
包装说明0.50 MM PITCH, FBGA-144
针数144
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间55 ns
JESD-30 代码S-PBGA-B144
JESD-609代码e0
内存密度131072 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度16
功能数量1
端子数量144
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织8KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装形状SQUARE
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)225
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.3 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式BALL
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30

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HIGH-SPEED
8K x 16 TriPort
STATIC RAM
Features
IDT70P5258ML
IDT70P525ML
IDT70V525ML
High-speed access
– Industrial: 55ns (max.)
Low-power operation
– IDT70P5258ML and IDT70P525ML
Active: 54mW (typ.)
Standby: 7.2
µ
W (typ.)
– IDT70V525ML
Active: 450mW (typ.)
Standby: 250
µ
W (typ.)
TriPort architecture allows simultaneous access to the
memory from all three ports
Fully asynchronous operation from each of the three
ports: P1, P2, and P3
IDT70P5258 supports 3.0V and 1.8V I/O's
Available in 144-ball 0.5mm-pitch
fpBGA
Industrial temperature range (–40°C to +85°C)
Functional Block Diagram
PORT 2
Address
Decode
BE
0P1,
BE
1P1
R/
W
P1
OE
P1
A
0P2
- A
11P2
CE
P2
R/
W
P2
OE
P2
I/O
0P1
-I/O
15P1
PORT 1
I/O
Control
PORT 2
I/O
Control
I/O
0P2
-I/O
15P2
Memory
Array
A
0P1
- A
11P1
BE
0P1,
BE
1P1
PORT 3
I/O
Control
CE
P3
R/
W
P3
OE
P3
PORT 1
Address
Decode
PORT 3
Address
Decode
BE
0P1,
BE
1P1
I/O
0P3
-I/O
15P3
A
0P3
- A
11P3
R/
W
P1
OE
P1
INT
P1 - P2
INT
P1 - P3
Interrupt
Control
CE
P2,
CE
P3
R/W
P2,
R/W
P3
INT
P3 - P1
INT
P2 - P1
OE
P2,
OE
P3
,
5681 drw 01
MARCH 2004
1
©2004 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 5681/2

IDT70V525ML55BZ相似产品对比

IDT70V525ML55BZ IDT70P5258ML55BZ IDT70P525ML55BZ
描述 Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, FBGA-144 Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, FBGA-144 Standard SRAM, 8KX16, 55ns, PBGA144, 0.50 MM PITCH, FBGA-144
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 BGA BGA BGA
包装说明 0.50 MM PITCH, FBGA-144 BGA, 0.50 MM PITCH, FBGA-144
针数 144 144 144
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 55 ns 55 ns 55 ns
JESD-30 代码 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144 S-PBGA-B144
JESD-609代码 e0 e0 e0
内存密度 131072 bit 131072 bit 131072 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 16 16 16
功能数量 1 1 1
端子数量 144 144 144
字数 8192 words 8192 words 8192 words
字数代码 8000 8000 8000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
组织 8KX16 8KX16 8KX16
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 BGA BGA BGA
封装形状 SQUARE SQUARE SQUARE
封装形式 GRID ARRAY GRID ARRAY GRID ARRAY
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 225 225 225
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.3 V 1.9 V 1.9 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V 1.7 V 1.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V 1.8 V 1.8 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 BALL BALL BALL
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 30

 
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