70121S45JG,70121S45JG pdf中文资料,70121S45JG引脚图,70121S45JG电路-Datasheet-电子工程世界

70121S45JG: 产品描述Dual-Port SRAM, 2KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52; 产品类别存储存储; 文件大小194KB，共16页; 制造商IDT (Integrated Device Technology); 标准

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70121S45JG概述

Dual-Port SRAM, 2KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52

70121S45JG规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	45 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e3
内存密度	18432 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	52
字数	2048 words
字数代码	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	2KX9
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.015 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.245 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	QUAD

70121S45JG相似产品对比

	70121S45JG	70125L45JG	70125L45JG8	70121S45JG8
描述	Dual-Port SRAM, 2KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	Dual-Port SRAM, 2KX9, 45ns, CMOS, PQCC52, 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
包装说明	0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52	0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
最长访问时间	45 ns	45 ns	45 ns	45 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52	S-PQCC-J52
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3
内存密度	18432 bit	18432 bit	18432 bit	18432 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	9	9	9	9
湿度敏感等级	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2
端子数量	52	52	52	52
字数	2048 words	2048 words	2048 words	2048 words
字数代码	2000	2000	2000	2000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	2KX9	2KX9	2KX9	2KX9
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	QCCJ	QCCJ	QCCJ	QCCJ
封装等效代码	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ	LDCC52,.8SQ
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大待机电流	0.015 A	0.015 A	0.015 A	0.015 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.245 mA	0.205 mA	0.205 mA	0.245 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	J BEND	J BEND	J BEND	J BEND
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD

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