DDR SRAM, 256KX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LBGA, |
针数 | 165 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 3 ns |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 |
长度 | 15 mm |
内存密度 | 9437184 bit |
内存集成电路类型 | DDR SRAM |
内存宽度 | 36 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 165 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX36 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LBGA |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行 | PARALLEL |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup) | 2.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.4 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 1 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 13 mm |
CY7C1308DV25C-167BZCT | ||
---|---|---|
描述 | DDR SRAM, 256KX36, 3ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, FBGA-165 | |
厂商名称 | Cypress(赛普拉斯) | |
零件包装代码 | BGA | |
包装说明 | LBGA, | |
针数 | 165 | |
Reach Compliance Code | unknown | |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | |
最长访问时间 | 3 ns | |
其他特性 | PIPELINED ARCHITECTURE | |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B165 | |
长度 | 15 mm | |
内存密度 | 9437184 bit | |
内存集成电路类型 | DDR SRAM | |
内存宽度 | 36 | |
功能数量 | 1 | |
端子数量 | 165 | |
字数 | 262144 words | |
字数代码 | 256000 | |
工作模式 | SYNCHRONOUS | |
最高工作温度 | 70 °C | |
组织 | 256KX36 | |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码 | LBGA | |
封装形状 | RECTANGULAR | |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE | |
并行/串行 | PARALLEL | |
认证状态 | Not Qualified | |
座面最大高度 | 1.4 mm | |
最大供电电压 (Vsup) | 2.6 V | |
最小供电电压 (Vsup) | 2.4 V | |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | |
表面贴装 | YES | |
技术 | CMOS | |
温度等级 | COMMERCIAL | |
端子形式 | BALL | |
端子节距 | 1 mm | |
端子位置 | BOTTOM | |
宽度 | 13 mm |
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