M58WR064FT80ZB6,M58WR064FT80ZB6 pdf中文资料,M58WR064FT80ZB6引脚图,M58WR064FT80ZB6电路-Datasheet-电子工程世界

M58WR064FT80ZB6: 产品描述Flash, 4MX16, 80ns, PBGA56, 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56; 产品类别存储存储; 文件大小1MB，共87页; 制造商Numonyx ( Micron ); 官网地址https://www.micron.com

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M58WR064FT80ZB6概述

Flash, 4MX16, 80ns, PBGA56, 7.70 X 9 MM, 0.75 MM PITCH, VFBGA-56

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Numonyx ( Micron )
零件包装代码	BGA
包装说明	VFBGA,
针数	56
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	80 ns
其他特性	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE
启动块	TOP
JESD-30 代码	R-PBGA-B56
JESD-609代码	e0
长度	9 mm
内存密度	67108864 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	16
功能数量	1
端子数量	56
字数	4194304 words
字数代码	4000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	4MX16
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VFBGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1 mm
最大供电电压 (Vsup)	2 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn63Pb37)
端子形式	BALL
端子节距	0.75 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
类型	NOR TYPE
宽度	7.7 mm

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