Dual General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator 8-SOIC -40 to 125
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week |
| 放大器类型 | COMPARATOR |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.02 µA |
| 最大输入失调电压 | 10000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出类型 | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 标称响应时间 | 650 ns |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 最大压摆率 | 0.15 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.9 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| TLC372QD | TLC372MD | |
|---|---|---|
| 描述 | Dual General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator 8-SOIC -40 to 125 | Dual General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator 8-SOIC -55 to 125 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 包装说明 | SOIC-8 | SOIC-8 |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | compli | compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week |
| 放大器类型 | COMPARATOR | COMPARATOR |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.00003 µA | 0.00003 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.02 µA | 0.02 µA |
| 最大输入失调电压 | 10000 µV | 10000 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -55 °C |
| 输出类型 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TUBE | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称响应时间 | 650 ns | 650 ns |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 最大压摆率 | 0.15 mA | 0.15 mA |
| 供电电压上限 | 18 V | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | MILITARY |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
| 器件名 | 厂商 | 描述 |
|---|---|---|
| TLC372MDG4 | Texas Instruments(德州仪器) | Dual General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator 8-SOIC |
| TLC372MD | Texas Instruments(德州仪器) | Dual General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator 8-SOIC -55 to 125 |
| TLC372QDR | Texas Instruments(德州仪器) | Dual General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator 8-SOIC -40 to 125 |
| TLC372QDRG4 | Texas Instruments(德州仪器) | 输出类型：CMOS, MOS, Open-Drain, TTL 各通道功耗：300uA 传播延迟：- 比较器组数：2 电源电压：4V ~ 16V, ±2V ~ 8V |
| TLC372MDR | Texas Instruments(德州仪器) | Dual General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator 8-SOIC -55 to 125 |
| TLC372MDRG4 | Texas Instruments(德州仪器) | Dual General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator 8-SOIC |
| TLC372QDG4 | Texas Instruments(德州仪器) | Dual General Purpose LinCMOS™ Differential Comparator 8-SOIC -40 to 125 |
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