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FW306

产品描述N- Channel Silicon MOS FET High Speed Switching
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小16KB,共2页
制造商SANYO
官网地址http://www.semic.sanyo.co.jp/english/index-e.html
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FW306概述

N- Channel Silicon MOS FET High Speed Switching

FW306规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3 A
最大漏极电流 (ID)5 A
最大漏源导通电阻0.065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)32 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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FW306
N- Channel Silicon MOS FET
High Speed Switching
TENTATIVE
Features
• High density mounting is possible because of the complex type which holds low-on-resistance, very-high-speed-switching and
4-volt-drive N- / P- channel / MOSFETs.
• Low ON-state resistance.
Absolute Maximum Ratings / Ta=25°C
Drain to Source Voltage
Gate to Source Voltage
Drain Current(DC)
Drain Current(Pulse)
Allowable power Dissipation
Total Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
Electrical Characteristics / Ta=25°C
(N-channel)
Drain to Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain to Source
On State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Diode Forward Voltage
VDSS
VGSS
ID
IDP
PD
PT
Tch
Tstg
N-channel
30
±25
5
32
1.7
2.0
150
--55 to
±150
min
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
| yfs |
RDS(on) 1
RDS(on) 2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
VSD
ID=1mA
VDS=30V
VGS=±20V
VDS=10V
VDS=10V
ID=5A
ID=2A
VDS=10V
VDS=10V
VDS=10V
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
VGS=0
VGS=0
VDS=0
ID=1mA
ID=5A
VGS=10V
VGS=4V
f=1MHz
f=1MHz
f=1MHz
30
100
±10
2.5
8
50
84
460
340
85
13
300
30
50
1.0
65
120
typ
max
P-channel
30
±25
--3
--32
unit
V
V
A
A
W
W
°C
°C
unit
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
PW≤10µS, dutycycle≤1%
Mounted on ceramic board
(1000mm
2
!
0.8mm) 1unit
Mounted on ceramic board
(1000mm
2
!
0.8mm)
1.0
5
See Specified Test
Circuit
IS=5A
, VGS = 0
1.2
(P-channel)
Drain to Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current
Gate to Source Leakage Current
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
Static Drain to Source
On State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Diode Forward Voltage
min
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
VGS(off)
| yfs |
RDS(on) 1
RDS(on) 2
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
VSD
ID=--1mA
VDS=--30V
VGS=±20V
VDS=--10V
VDS=--10V
ID=--3A
ID=--2A
VDS=--10V
VDS=--10V
VDS=--10V
,
,
,
,
,
,
,
,
,
,
VGS=0
VGS=0
VDS=0
ID=--1mA
ID=--3A
VGS=--10V
VGS=--4V
f=1MHz
f=1MHz
f=1MHz
--30
typ
max
--100
±10
--2.5
unit
V
µA
µA
V
S
mΩ
mΩ
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
--1.0
3
See Specified Test
Circuit
IS=--3A
, VGS = 0
5
110
200
460
350
80
13
150
30
50
--1.0
160
320
--1.2
Specifications and information herin are subject to change without notice.
SANYO Electric Co., Ltd. Semiconductor Company
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10,1 Chome, Ueno, taito-ku, 110 JAPAN
990401TM2fXHD
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