60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | International Rectifier ( Infineon ) |
零件包装代码 | TO-254AA |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 900 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A |
最大漏极电流 (ID) | 75 A |
最大漏源导通电阻 | 0.018 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA |
JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 225 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
Base Number Matches | 1 |
OM75N05SA | OM55N10SA | OM75N05SC | OM75N06SA | OM75N06SC | |
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描述 | 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA | 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA | 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA | 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA | 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA |
元件数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 3 | 3 | 3 | 3 |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO | NO |
端子形式 | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON | SILICON |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 | - | - | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | - | - | 不符合 |
零件包装代码 | TO-254AA | TO-254AA | - | - | TO-258AA |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 | - | - | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
针数 | 3 | 3 | - | - | 3 |
Reach Compliance Code | compli | compli | - | - | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - | - | EAR99 |
雪崩能效等级(Eas) | 900 mJ | 600 mJ | - | - | 900 mJ |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | - | - | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | - | - | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 50 V | 100 V | - | - | 60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 75 A | 55 A | - | - | 75 A |
最大漏极电流 (ID) | 75 A | 55 A | - | - | 75 A |
最大漏源导通电阻 | 0.018 Ω | 0.035 Ω | - | - | 0.016 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | - | - | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-254AA | TO-254AA | - | - | TO-258AA |
JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 | R-MSFM-P3 | - | - | R-MSFM-P3 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | - | - | e0 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE | - | - | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | - | - | 150 °C |
封装主体材料 | METAL | METAL | - | - | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | - | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT | - | - | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL | - | - | P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 125 W | 125 W | - | - | 125 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 225 A | 180 A | - | - | 225 A |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - | - | Not Qualified |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | - | - | TIN LEAD |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | - | - | NOT SPECIFIED |
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