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OM75N05SA

产品描述60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小75KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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OM75N05SA概述

60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA

OM75N05SA规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
零件包装代码TO-254AA
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)900 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压50 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)75 A
最大漏极电流 (ID)75 A
最大漏源导通电阻0.018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)225 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

OM75N05SA相似产品对比

OM75N05SA OM55N10SA OM75N05SC OM75N06SA OM75N06SC
描述 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA 60 A, 100 V, 0.025 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-258AA
元件数量 1 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3 3
表面贴装 NO NO NO NO NO
端子形式 PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG PIN/PEG
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
是否无铅 含铅 含铅 - - 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 - - 不符合
零件包装代码 TO-254AA TO-254AA - - TO-258AA
包装说明 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 - - FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
针数 3 3 - - 3
Reach Compliance Code compli compli - - compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 - - EAR99
雪崩能效等级(Eas) 900 mJ 600 mJ - - 900 mJ
外壳连接 ISOLATED ISOLATED - - ISOLATED
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE - - SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 50 V 100 V - - 60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 75 A 55 A - - 75 A
最大漏极电流 (ID) 75 A 55 A - - 75 A
最大漏源导通电阻 0.018 Ω 0.035 Ω - - 0.016 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR - - METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码 TO-254AA TO-254AA - - TO-258AA
JESD-30 代码 R-MSFM-P3 R-MSFM-P3 - - R-MSFM-P3
JESD-609代码 e0 e0 - - e0
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE - - ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C - - 150 °C
封装主体材料 METAL METAL - - METAL
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT - - FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL - - P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 125 W 125 W - - 125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 225 A 180 A - - 225 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified - - Not Qualified
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD - - TIN LEAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED
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