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P6SMB530CAR4G

产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 451V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小214KB,共5页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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P6SMB530CAR4G概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 451V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

P6SMB530CAR4G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压556.5 V
最小击穿电压503.5 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
最大重复峰值反向电压451 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

P6SMB530CAR4G相似产品对比

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描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 451V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 451V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 451V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 434V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 434V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 434V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合
包装说明 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压 556.5 V 556.5 V 556.5 V 535 V 535 V 535 V
最小击穿电压 503.5 V 503.5 V 503.5 V 485 V 485 V 485 V
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA DO-214AA
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2
JESD-609代码 e3 e3 e3 e3 e3 e3
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1
最大非重复峰值反向功率耗散 600 W 600 W 600 W 600 W 600 W 600 W
元件数量 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性 BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL BIDIRECTIONAL
最大功率耗散 3 W 3 W 3 W 3 W 3 W 3 W
最大重复峰值反向电压 451 V 451 V 451 V 434 V 434 V 434 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND C BEND
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
厂商名称 Taiwan Semiconductor - - Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor

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