HY27SF081G2A-SIS,HY27SF081G2A-SIS pdf中文资料,HY27SF081G2A-SIS引脚图,HY27SF081G2A-SIS电路-Datasheet-电子工程世界

HY27SF081G2A-SIS: 产品描述Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, USOP1-48; 产品类别存储存储; 文件大小389KB，共46页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

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HY27SF081G2A-SIS概述

Flash, 128MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, USOP1-48

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	SOIC
包装说明	VSSOP, TSSOP48,.71,20
针数	48
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	3A991.B.1.A
最长访问时间	30 ns
命令用户界面	YES
数据轮询	NO
JESD-30 代码	R-PDSO-G48
长度	15.4 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	FLASH
内存宽度	8
功能数量	1
部门数/规模	1K
端子数量	48
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	VSSOP
封装等效代码	TSSOP48,.71,20
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小	2K words
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	1.8 V
编程电压	1.8 V
认证状态	Not Qualified
就绪/忙碌	YES
座面最大高度	0.65 mm
部门规模	128K
最大待机电流	0.00005 A
最大压摆率	0.02 mA
最大供电电压 (Vsup)	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)	1.8 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
切换位	NO
类型	SLC NAND TYPE
宽度	12 mm

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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