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CJD47TR13LEADFREE: 产品描述Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小39KB，共2页; 制造商Central Semiconductor; 标准

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CJD47TR13LEADFREE概述

Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,

CJD47TR13LEADFREE规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A
集电极-发射极最大电压	250 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	NPN
功耗环境最大值	15 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz
VCEsat-Max	1 V

CJD47TR13LEADFREE相似产品对比

	CJD47TR13LEADFREE	CJD47BK	CJD47BKLEADFREE	CJD50BKLEADFREE	CJD50TR13	CJD50TR13LEADFREE	CJD50BK	CJD47TR13
描述	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,	Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin,
是否无铅	不含铅	含铅	不含铅	不含铅	含铅	不含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	符合	不符合	符合	不符合	不符合
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	compliant	compliant	not_compliant	compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A	1 A
集电极-发射极最大电压	250 V	250 V	250 V	400 V	400 V	400 V	400 V	250 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	10	10	10	10	10	10	10	10
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	e0	e3	e3	e0	e3	e0	e0
元件数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	2	2	2	2	2	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	NOT SPECIFIED	260	260	NOT SPECIFIED	260	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN	NPN
功耗环境最大值	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W
最大功率耗散 (Abs)	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W	15 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
端子面层	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Matte Tin (Sn)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	10	NOT SPECIFIED	10	10	NOT SPECIFIED	10	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz	10 MHz
VCEsat-Max	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V	1 V
厂商名称	Central Semiconductor	-	-	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor

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