Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SPANSION |
| 零件包装代码 | BGA |
| 包装说明 | 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
| 针数 | 137 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B137 |
| JESD-609代码 | e1 |
| 长度 | 12 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 137 |
| 字数 | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C |
| 组织 | 32MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 9 mm |
| S73WS512PD0HF64V0 | S73WS512PD0HF64V2 | S73WS512PD0HF64V3 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 | Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 | Memory Circuit, 32MX16, CMOS, PBGA137, 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | SPANSION | SPANSION | SPANSION |
| 零件包装代码 | BGA | BGA | BGA |
| 包装说明 | 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 | 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 | 9 X 12 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-137 |
| 针数 | 137 | 137 | 137 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 其他特性 | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE | SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B137 | R-PBGA-B137 | R-PBGA-B137 |
| JESD-609代码 | e1 | e1 | e1 |
| 长度 | 12 mm | 12 mm | 12 mm |
| 内存密度 | 536870912 bit | 536870912 bit | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 | 16 | 16 |
| 湿度敏感等级 | 3 | 3 | 3 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 137 | 137 | 137 |
| 字数 | 33554432 words | 33554432 words | 33554432 words |
| 字数代码 | 32000000 | 32000000 | 32000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -25 °C | -25 °C | -25 °C |
| 组织 | 32MX16 | 32MX16 | 32MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TFBGA | TFBGA | TFBGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.95 V | 1.95 V | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子面层 | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) |
| 端子形式 | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | 40 | 40 |
| 宽度 | 9 mm | 9 mm | 9 mm |
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