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NAND08GW3C4AN1E

产品描述1GX8 FLASH 3V PROM, 60000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48
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文件大小639KB,共58页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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NAND08GW3C4AN1E概述

1GX8 FLASH 3V PROM, 60000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48

NAND08GW3C4AN1E规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称ST(意法半导体)
零件包装代码TSOP
包装说明TSSOP,
针数48
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.1.A
最长访问时间60000 ns
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e3/e6
长度18.4 mm
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量48
字数1073741824 words
字数代码1000000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1GX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层MATTE TIN/TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
类型MLC NAND TYPE
宽度12 mm

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NAND08GW3C2A
NAND16GW3C4A
8/16 Gbit, 2112 byte page,
3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
Preliminary Data
Features
High density multilevel cell (MLC) Flash
memory
– Up to 16 Gbit memory array
– Up to 512 Mbit spare area
– Cost-effective solutions for mass storage
applications
NAND interface
– x8 bus width
– Multiplexed address/data
Supply voltage: V
DD
= 2.7 to 3.6 V
Page size: (2048 + 64 spare) bytes
Block size: (256K + 8K spare) bytes
Multiplane architecture
– Array split into two independent planes
– Program/erase operations can be
performed on both planes at the same time
Page read/program
– Random access: 60 µs (max)
– Sequential access: 25 ns (min)
– Page program operation time: 800 µs (typ)
Multipage program time (2 pages): 800 µs (typ)
Fast block erase
– Block erase time: 2.5 ms (typ)
Multiblock erase time (2 blocks): 2.5 ms (typ)
Status register
Electronic signature
Serial number option
Chip enable ‘don’t care’
TSOP48 12 x 20 mm (N)
LGA52 12 x 17 mm (N)
Data protection
– Hardware program/erase locked during
power transitions
Development tools
– Error correction code models
– Bad block management and wear leveling
algorithm
– HW simulation models
Data integrity
– 10,000 program/erase cycles (with ECC)
– 10 years data retention
ECOPACK
®
packages available
June 2007
Rev 1
1/58
www.st.com
1
This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to
change without notice.
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