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SS110E3G

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, GREEN, PLASTIC, SMA, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小192KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SS110E3G概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-214AC, GREEN, PLASTIC, SMA, 2 PIN

SS110E3G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明GREEN, PLASTIC, SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)250
最大重复峰值反向电压100 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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SS12 - SS115
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
1A, 20V - 150V Surface Mount Schottky Barrier Rectifiers
FEATURES
- Low power loss, high efficiency
- Ideal for automated placement
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
DO-214AC (SMA)
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Part No. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.066 g (approximately)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 1 A, T
J
=25°C
@ 1 A, T
J
=100°C
T
J
=25°C
Maximum reverse current @ rated V
R
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
T
J
=100°C
T
J
=125°C
dV/dt
R
θJL
R
θJA
T
J
T
STG
- 55 to +125
I
R
6
-
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
SS
12
20
14
20
SS
13
30
21
30
SS
14
40
28
40
SS
15
50
35
50
1
40
SS
16
60
42
60
SS
19
90
63
90
SS
110
100
70
100
SS
115
150
105
150
UNIT
V
V
V
A
A
V
F
0.5
0.4
0.2
0.75
0.65
5
-
10000
28
88
0.8
0.7
0.1
-
2
0.95
0.85
V
mA
V/μs
°C/W
- 55 to +150
- 55 to +150
°C
°C
Document Number: DS_D1411020
Version: P15
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