电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SS36HM6

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小206KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
下载文档 详细参数 全文预览

SS36HM6概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

SS36HM6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.75 V
JEDEC-95代码DO-214AB
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流70 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压60 V
最大反向电流500 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
SS32 thru SS320
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
FEATURES
- Low power loss, high efficiency
- Ideal for automated placement
- Guardring for overvoltage protection
- High surge current capability
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
Surface Mount Schottky Barrier Rectifier
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AB (SMC)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - halogen-free
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.21 g (approximately)
DO-214AB (SMC)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
I
F
= 3 A @ 25℃
I
F
= 3 A @ 100℃
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=100℃
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
100
SS
32
20
14
20
SS
33
30
21
30
SS
34
40
28
40
SS
35
50
35
50
SS
36
60
42
60
3
70
SS
39
90
63
90
SS
310
100
70
100
SS
315
150
105
150
SS
320
200
140
200
Unit
V
V
V
A
A
V
F
0.5
0.4
0.5
0.75
0.65
0.85
0.70
0.1
0.95
0.80
V
I
R
dV/dt
R
θJL
R
θJA
T
J
T
STG
10
-
5
-
10000
17
55
-
0.5
mA
V/μs
O
Voltage rate of change (Rated V
R
)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
C/W
O
O
- 55 to +125
- 55 to +150
- 55 to +150
C
C
Document Number: D1307006
Version: J13
安装evc4.0 sp4的时候出错
安装evc4成功,但是安装evc sp4多次,老是在最后弹出这么个提示,怎么办啊????...
wwm514 嵌入式系统
wince 实现SIP IME的问题
我自己挂在SIP下实现了一个输入法,在我的输入法界面上有一个功能按钮是退出输入法,目前我可以实现的是隐藏输入法,也可以返回到应用的edit控件,但我的edit控件是在收到on_setfocus的时候调用 ......
liguangemail 嵌入式系统
差分线对在高速PCB设计中的应用
46256...
静若幽兰 PCB设计
有关晶振问题
我使用MSP430F1101,在电源电压2.5V的时候,发现使用DCO时程序运行正常,但使用外部6MHz晶振时,OFIFG位一直不复位,查外部晶振已振荡。将程序强制使用外部晶振时死机,请问MSP430F1101在2.5V时 ......
wedh 微控制器 MCU
hfss18版3D图设置问题
3D图叠加模型后如何显示旁边的色标?...
耩聴聴 TI技术论坛
STM32定时器的捕获通道的“边沿检测器”的疑惑
STM32定时器的捕获通道的“边沿检测器”,是如何检测识别边沿的?例如:我要检测信号上升沿的话,我的信号上升幅度为多少才会识别为上升沿? ...
huixianfxt stm32/stm8

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 72  490  2121  1564  2786  28  26  12  50  7 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved