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PDM41251LA25TI: 产品描述Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDSO28; 产品类别存储存储; 文件大小370KB，共8页; 制造商Paradigm Technology Inc

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PDM41251LA25TI概述

Standard SRAM, 64KX4, 25ns, CMOS, PDSO28

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Paradigm Technology Inc
包装说明	TSSOP, TSSOP28,.53,22
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	OUTPUT TRACK INPUTS DURING WRITE MODE
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDSO-G28
JESD-609代码	e0
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	28
字数	65536 words
字数代码	64000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	64KX4
输出特性	3-STATE
可输出	NO
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP28,.53,22
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
最大待机电流	0.0005 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.25 V
最小供电电压 (Vsup)	4.75 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.55 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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