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SB245

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 45V V(RRM), Silicon, DO-15,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小67KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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SB245概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 45V V(RRM), Silicon, DO-15,

SB245规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.55 V
JEDEC-95代码DO-15
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流2 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压45 V
最大反向电流500 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

SB245文档预览

BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SB225 --- SB265
VOLTAGE RANGE: 25 --- 65V
CURRENT: 2.0 A
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Metal-Semiconductor junction with guard ring
Epitaxial construction
Low forward voltage drop,low switching losses
High surge capability
For use in low voltage,high frequency inverters free
xxxx
wheeling,and polarity protection applications
The plastic m aterial carries U/L recognition 94V-0
DO - 15
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--15,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.014 ounces,0.39 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
am bient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SB225
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
SB235
35
25
30
SB245
45
32
40
2.0
SB255
55
39
50
SB265
65
46
60
UNITS
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
25
18
20
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
50.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 2.0A (Note1)
Maximum reverse current
at rated DC blocking voltage
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
@T
A
=25
@T
A
=100
(Note2)
(Note3)
V
F
I
R
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.55
0.5
20.0
170
35
-
55
---- + 125
-
55
---- + 150
0.70
V
mA
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note: 1. Pulse test : 300 s pulse width,1% duty cy cle.
2. Measured at 1.0MHz and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3.Thermal resistance junction to ambient.
www.galaxycn.com
Document Number 0266022
BL
GALAXY ELECTRICAL
1
.
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES
FIG.1 -- FORWARD CURRENT DERATING CURVE
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT
AVERAGE FORWARD RECTIFIED
CURRENT,AMPERES
50
T
J
=25
PULSE WIDTH =300
µ
s
1% DUTY CYCLE
SB225 --- SB265
FIG.2 --TYPICAL INSTATANEOUS FORWARD
CHARACTERISTICS
2.0
Resistive or
Inductive Load
0.375"(9.5mm)
Lead Length
10
AMPERES
1.5
SB225 - SB245
1.0
SB255- SB265
1
0.5
0
50
60
70
80
90 100
110 120 130
140
0.1
0.2 0.3 0.4
0.5 0.6
0.7
0.8 0.9
1.0
1.1
AMBIENT TEMPERATURE,
INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,VOLTS
FIG.4--MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK
FORWARD SURGE CURRENT
FIG.3 --TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
INSTANTANEOUS REVERSE LEAKAGE
AMPERES
10
T
J
= 1 0 0
FORWARD
SURGE
CURRENT
AMPERES
50
T
J
=T
J
MAX
8.3ms Single Half
Sine-Wave
1 .0
T
J
= 7 5
40
30
0 .1
T
J
= 2 5
20
0 .0 1
SB225
- SB245
SB255 - SB265
10
0 .0 0 1
0
20
40
60
80
100
120 140
1
10
100
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE,%
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
FIG.5--TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
JUNCTION CAPACITANCE,pF
1000
T
J
=25℃
f=1.0MHz
Vsig=50mVp-p
100
10
0.1
0.4
1
4
10
20
100
REVERSE VOLTAGE,VOLTS
www.galaxycn.com
Document Number 0266022
BL
GALAXY ELECTRICAL
2.

SB245相似产品对比

SB245 SB255 SB265
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 45V V(RRM), Silicon, DO-15, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 55V V(RRM), Silicon, DO-15, Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 65V V(RRM), Silicon, DO-15,
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE FREE WHEELING DIODE
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.55 V 0.7 V 0.7 V
JEDEC-95代码 DO-15 DO-15 DO-15
JESD-30 代码 O-PALF-W2 O-PALF-W2 O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流 50 A 50 A 50 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -55 °C
最大输出电流 2 A 2 A 2 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
最大重复峰值反向电压 45 V 55 V 65 V
最大反向电流 500 µA 500 µA 500 µA
表面贴装 NO NO NO
技术 SCHOTTKY SCHOTTKY SCHOTTKY
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
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