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CBSL150

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.400 INCH, FM-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小18KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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CBSL150概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.400 INCH, FM-2

CBSL150规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压28 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)30
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)300 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
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