电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

CBSL100

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小17KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
下载文档 详细参数 全文预览

CBSL100概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN,

CBSL100规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F4
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)25 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)15
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F4
元件数量1
端子数量4
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
最大功率耗散 (Abs)310 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

CBSL100文档预览

CBSL100
NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR
DESCRIPTION:
The
ASI CBSL100
is Designed for
PACKAGE STYLE .400 BAL FLG (C)
.080x45°
A
B
FULL R
(4X).060 R
E
D
C
.1925
F
H
I
N
L
G
M
FEATURES:
Input Matching Network
Omnigold™
Metalization System
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CBO
V
CEO
V
EBO
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
O
J
DIM
A
MINIMUM
inches / mm
K
25 A
60 V
30 V
3.0 V
310 W @ T
C
= 25 C
-65 C to +200 C
-65
O
C to +150
O
C
0.6
O
C/W
O
O
MAXIMUM
inches / mm
.220 / 5.59
.210 / 5.33
.120 / 3.05
.380 / 9.65
.780 / 19.81
.435 / 11.05
1.090 / 27.69
1.335 / 33.91
.003 / 0.08
.060 / 1.52
.082 / 2.08
.230 / 5.84
B
C
D
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
.395 / 10.03
.850 / 21.59
.130 / 3.30
.390 / 9.91
.820 / 20.83
1.345 / 34.16
.007 / 0.18
.070 / 1.78
.100 / 2.54
.205 / 5.21
.407 / 10.34
.870 / 22.10
ORDER CODE: ASI10585
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CEO
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
IMD
η
C
T
C
= 25 C
O
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 100 mA
I
C
= 100 mA
I
E
= 50 mA
V
CE
= 28 V
V
CE
= 5.0 V
V
CE
= 24 V
P
OUT
= 100 W
I
C
= 3.0 A
I
CQ
= 2 X 100 mA
f = 960 MHz
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
60
30
3.0
10
15
9.0
-32
45
70
UNITS
V
V
V
mA
---
dB
dBc
%
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
1/1

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 208  2030  1501  490  930  47  44  35  27  58 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved