电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SDF240JDAXGD1B

产品描述Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小68KB,共1页
制造商Solitron Devices Inc
下载文档 详细参数 全文预览

SDF240JDAXGD1B概述

Power Field-Effect Transistor, 18A I(D), 200V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257,

SDF240JDAXGD1B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Solitron Devices Inc
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压200 V
最大漏极电流 (ID)18 A
最大漏源导通电阻0.2 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-257
JESD-30 代码R-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值100 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)72 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)122 ns
最大开启时间(吨)98 ns

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 302  929  995  1251  1368 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved