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BD772-GR-TP

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小394KB,共3页
制造商Micro Commercial Components (MCC)
标准  
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BD772-GR-TP概述

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3

BD772-GR-TP规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Micro Commercial Components (MCC)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)3 A
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)200
JESD-30 代码R-PSSO-F3
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式FLAT
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)80 MHz

BD772-GR-TP相似产品对比

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描述 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor, Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, PACKAGE-3 Small Signal Bipolar Transistor,
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC) Micro Commercial Components (MCC)
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 , SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 , SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3 ,
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
湿度敏感等级 1 1 1 1 1 1 1
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260 260 260 260 260
处于峰值回流温度下的最长时间 10 10 10 10 10 10 10
是否无铅 不含铅 不含铅 - 不含铅 - 不含铅 -
针数 3 3 - 3 - 3 -
最大集电极电流 (IC) 3 A 3 A - 3 A - 3 A -
集电极-发射极最大电压 30 V 30 V - 30 V - 30 V -
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE - SINGLE -
最小直流电流增益 (hFE) 200 160 - 60 - 100 -
JESD-30 代码 R-PSSO-F3 R-PSSO-F3 - R-PSSO-F3 - R-PSSO-F3 -
JESD-609代码 e3 e3 - e3 - e3 -
元件数量 1 1 - 1 - 1 -
端子数量 3 3 - 3 - 3 -
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR - RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE -
极性/信道类型 PNP PNP - PNP - PNP -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified - Not Qualified -
表面贴装 YES YES - YES - YES -
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn) -
端子形式 FLAT FLAT - FLAT - FLAT -
端子位置 SINGLE SINGLE - SINGLE - SINGLE -
晶体管元件材料 SILICON SILICON - SILICON - SILICON -
标称过渡频率 (fT) 80 MHz 80 MHz - 80 MHz - 80 MHz -
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