ADG411TQ,ADG411TQ pdf中文资料,ADG411TQ引脚图,ADG411TQ电路-Datasheet-电子工程世界

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ADG411TQ: 产品描述IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, CERDIP-16, Multiplexer or Switch; 产品类别模拟混合信号IC 信号电路; 文件大小204KB，共16页; 制造商ADI(亚德诺半导体); 官网地址https://www.analog.com

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ADG411TQ概述

IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, CERDIP-16, Multiplexer or Switch

ADG411TQ规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP16,.3
针数	16
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	ALSO OPERATE WITH 12V SINGLE SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型	SPST
JESD-30 代码	R-GDIP-T16
JESD-609代码	e0
长度	19.05 mm
负电源电压最大值（Vsup）	-16.5 V
负电源电压最小值（Vsup）	-13.5 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V
正常位置	NC
信道数量	1
功能数量	4
端子数量	16
标称断态隔离度	68 dB
最大通态电阻 (Ron)	35 Ω
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-55 °C
输出	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5,12/+-15 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)	16.5 V
最小供电电压 (Vsup)	13.5 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V
表面贴装	NO
最长断开时间	145 ns
最长接通时间	175 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS
温度等级	MILITARY
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	7.62 mm

ADG411TQ相似产品对比

	ADG411TQ	ADG412TQ	ADG413BN
描述	IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, CERDIP-16, Multiplexer or Switch	IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, CDIP16, CERDIP-16, Multiplexer or Switch	IC QUAD 1-CHANNEL, SGL POLE SGL THROW SWITCH, PDIP16, PLASTIC, MO-095AC, DIP-16, Multiplexer or Switch
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ADI(亚德诺半导体)	ADI(亚德诺半导体)	ADI(亚德诺半导体)
零件包装代码	DIP	DIP	DIP
包装说明	DIP, DIP16,.3	CERDIP-16	DIP, DIP16,.3
针数	16	16	16
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	ALSO OPERATE WITH 12V SINGLE SUPPLY	ALSO OPERATE WITH 12V SINGLE SUPPLY	ALSO OPERATE WITH 12V SINGLE SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型	SPST	SPST	SPST
JESD-30 代码	R-GDIP-T16	R-GDIP-T16	R-PDIP-T16
JESD-609代码	e0	e0	e0
长度	19.05 mm	19.05 mm	19.43 mm
负电源电压最大值（Vsup）	-16.5 V	-16.5 V	-16.5 V
负电源电压最小值（Vsup）	-13.5 V	-13.5 V	-13.5 V
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V
正常位置	NC	NO	NO/NC
信道数量	1	1	1
功能数量	4	4	4
端子数量	16	16	16
标称断态隔离度	68 dB	68 dB	68 dB
最大通态电阻 (Ron)	35 Ω	35 Ω	35 Ω
最高工作温度	125 °C	125 °C	85 °C
最低工作温度	-55 °C	-55 °C	-40 °C
输出	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT	SEPARATE OUTPUT
封装主体材料	CERAMIC, GLASS-SEALED	CERAMIC, GLASS-SEALED	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP16,.3	DIP16,.3	DIP16,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	240
电源	5,12/+-15 V	5,12/+-15 V	5,12/+-15 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	4.57 mm
最大供电电压 (Vsup)	16.5 V	16.5 V	16.5 V
最小供电电压 (Vsup)	13.5 V	13.5 V	13.5 V
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V
表面贴装	NO	NO	NO
最长断开时间	145 ns	145 ns	145 ns
最长接通时间	175 ns	175 ns	175 ns
切换	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE	BREAK-BEFORE-MAKE
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	MILITARY	MILITARY	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	30
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

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