1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | O-XALF-W2 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
其他特性 | LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1 V |
JESD-30 代码 | O-XALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C |
最低工作温度 | -195 °C |
最大输出电流 | 1 A |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | LONG FORM |
认证状态 | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 150 V |
最大反向恢复时间 | 0.075 µs |
表面贴装 | NO |
技术 | AVALANCHE |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | AXIAL |
Base Number Matches | 1 |
UTX115 | UTX205 | UTX120 | |
---|---|---|---|
描述 | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE | 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE | 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
厂商名称 | Microsemi | Microsemi | Microsemi |
Reach Compliance Code | compli | unknow | unknow |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
其他特性 | LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL | LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL | LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL |
外壳连接 | ISOLATED | ISOLATED | ISOLATED |
配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
JESD-30 代码 | O-XALF-W2 | O-XALF-W2 | O-XALF-W2 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
元件数量 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 2 | 2 | 2 |
最高工作温度 | 175 °C | 175 °C | 175 °C |
最低工作温度 | -195 °C | -195 °C | -195 °C |
最大输出电流 | 1 A | 2 A | 1 A |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | ROUND | ROUND | ROUND |
封装形式 | LONG FORM | LONG FORM | LONG FORM |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大重复峰值反向电压 | 150 V | 50 V | 200 V |
最大反向恢复时间 | 0.075 µs | 0.075 µs | 0.075 µs |
表面贴装 | NO | NO | NO |
技术 | AVALANCHE | AVALANCHE | AVALANCHE |
端子面层 | TIN LEAD | TIN LEAD | TIN LEAD |
端子形式 | WIRE | WIRE | WIRE |
端子位置 | AXIAL | AXIAL | AXIAL |
包装说明 | O-XALF-W2 | MINIATURE PACKAGE-2 | - |
最大正向电压 (VF) | 1 V | 1 V | - |
是否无铅 | - | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | - | 不符合 | 不符合 |
峰值回流温度(摄氏度) | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
处于峰值回流温度下的最长时间 | - | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
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