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UTX115

产品描述1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小114KB,共3页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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UTX115概述

1 A, SILICON, SIGNAL DIODE

UTX115规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明O-XALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JESD-30 代码O-XALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-195 °C
最大输出电流1 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压150 V
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
Base Number Matches1

UTX115相似产品对比

UTX115 UTX205 UTX120
描述 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 2 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi
Reach Compliance Code compli unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL LEAKAGE CURRENT IS TYPICAL
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 O-XALF-W2 O-XALF-W2 O-XALF-W2
JESD-609代码 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -195 °C -195 °C -195 °C
最大输出电流 1 A 2 A 1 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 150 V 50 V 200 V
最大反向恢复时间 0.075 µs 0.075 µs 0.075 µs
表面贴装 NO NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
包装说明 O-XALF-W2 MINIATURE PACKAGE-2 -
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V -
是否无铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 不符合 不符合
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
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