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AD8065WARTZ-R7

产品描述High Performance, 145 MHz FastFET™ Op Amps
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小500KB,共28页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
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AD8065WARTZ-R7概述

High Performance, 145 MHz FastFET™ Op Amps

AD8065WARTZ-R7规格参数

参数名称属性值
Brand NameAnalog Devices Inc
是否无铅含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ADI(亚德诺半导体)
包装说明LSSOP, TSOP4/6,.11,37
针数5
制造商包装代码RJ-5
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.000125 µA
最小共模抑制比82 dB
标称共模抑制比82 dB
频率补偿NO
最大输入失调电流 (IIO)0.000125 µA
最大输入失调电压2600 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e3
长度2.9 mm
低-失调NO
湿度敏感等级1
负供电电压上限-13.2 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量1
端子数量5
最高工作温度105 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSOP4/6,.11,37
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
筛选级别AEC-Q100
座面最大高度1.45 mm
最小摆率155 V/us
最大压摆率7.2 mA
供电电压上限13.2 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.95 mm
端子位置DUAL
最小电压增益100000
宽度1.6 mm

AD8065WARTZ-R7相似产品对比

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描述 High Performance, 145 MHz FastFET™ Op Amps High Performance, 145 MHz FastFET™ Op Amps High Performance, 145 MHz FastFET™ Op Amps
Brand Name Analog Devices Inc Analog Devices Inc Analog Devices Inc
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 符合 不符合 不符合
厂商名称 ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体) ADI(亚德诺半导体)
包装说明 LSSOP, TSOP4/6,.11,37 SOP, SOT-23, 5 PIN
针数 5 8 5
制造商包装代码 RJ-5 R-8 RJ-5
Reach Compliance Code compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
JESD-30 代码 R-PDSO-G5 R-PDSO-G8 R-PDSO-G5
JESD-609代码 e3 e0 e0
长度 2.9 mm 4.9 mm 2.9 mm
湿度敏感等级 1 1 1
功能数量 1 1 1
端子数量 5 8 5
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LSSOP SOP LSSOP
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
座面最大高度 1.45 mm 1.75 mm 1.45 mm
表面贴装 YES YES YES
技术 BIPOLAR BIPOLAR BIPOLAR
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Tin/Lead (Sn85Pb15) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.95 mm 1.27 mm 0.95 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
宽度 1.6 mm 3.9 mm 1.6 mm
架构 VOLTAGE-FEEDBACK - VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.000125 µA - 0.000125 µA
最小共模抑制比 82 dB - 82 dB
标称共模抑制比 82 dB - 91 dB
频率补偿 NO - NO
最大输入失调电流 (IIO) 0.000125 µA - 0.000125 µA
负供电电压上限 -13.2 V - -13.2 V
标称负供电电压 (Vsup) -5 V - -5 V
最高工作温度 105 °C - 85 °C
最低工作温度 -40 °C - -40 °C
封装等效代码 TSOP4/6,.11,37 - TSOP4/6,.11,37
最小摆率 155 V/us - 130 V/us
最大压摆率 7.2 mA - 7.2 mA
供电电压上限 13.2 V - 13.2 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V
最小电压增益 100000 - 100000
零件包装代码 - SOIC SOIC
峰值回流温度(摄氏度) - 240 240
认证状态 - Not Qualified Not Qualified
处于峰值回流温度下的最长时间 - 30 30

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