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MS2608

产品描述RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 0.400 INCH, FM-2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小71KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MS2608概述

RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, S Band, Silicon, NPN, 0.400 INCH, FM-2

MS2608规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
外壳连接BASE
最大集电极电流 (IC)2 A
配置SINGLE
最高频带S BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型NPN
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式FLAT
端子位置DUAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

MS2608文档预览

MS2608
NPN SILICON RF MICROWAVE TRANSISTOR
PACKAGE STYLE .400 2L FLG
DESCRIPTION:
The
ASI MS2608
is Designed for pulsed S-
Band radar applications from 2.7 to 3.1 GHz.
B
D
C
L
N
J
A
O
1
2
4
M
P
Ø.120
3
E
K
.062 x 45°
FEATURES:
Internal Input/Output Matching Network
P
G
= 6.0 dB at 12 W/2.7-3.1 GHz
Omnigold™
Metalization System
F
H
D IM
A
B
C
D
G
I
Q
R
M IN IM U M
inches / m m
M AXIM U M
inches / m m
.140 / 3.56
.110 / 2.80
.110 / 2.80
.395 / 10.03
.193 / 4.90
.230 / 5.84
.003 / 0.08
.118 / 3.00
.063 / 1.60
.650 / 16.51
.386 / 9.80
.900 / 22.86
.450 / 11.43
.125 / 3.18
.050 / 1.27
.405 / 10.29
.170 / 4.32
.062 / 1.58
.006 / 0.15
.131 / 3.33
.407 / 10.34
MAXIMUM RATINGS
I
C
V
CC
P
DISS
T
J
T
STG
θ
JC
2.0 A
46 V
50 W @ T
C
= 25 °C
-65 °C to +200 °C
-65 °C to +200 °C
4.0 ° C/W
O
E
F
G
H
I
J
K
L
M
N
O
P
Q
R
1 = COLLECTOR
2&3 = BASE
4 = EMITTER
CHARACTERISTICS
SYMBOL
BV
CBO
BV
CER
BV
EBO
I
CES
h
FE
P
G
η
C
T
C
= 25 °C
NONETEST
CONDITIONS
I
C
= 7.0 mA
I
C
= 7.0 mA
I
E
= 1.0 mA
V
CE
= 40 V
V
CE
= 5.0 V
V
CC
= 40 V
I
C
= 600 mA
P
OUT
= 12 W
f = 2.7 to 3.1 GHz
R
BE
= 10
MINIMUM TYPICAL MAXIMUM
55
55
3.5
5.0
30
6.0
30
150
UNITS
V
V
V
mA
---
dB
%
Note:
Pulse Widht = 100 µS
Duty Cycle = 10 %
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1200
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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