ITH23C06J,ITH23C06J pdf中文资料,ITH23C06J引脚图,ITH23C06J电路-Datasheet-电子工程世界

ITH23C06J: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小455KB，共10页; 制造商Zarlink Semiconductor (Microsemi); 官网地址http://www.zarlink.com/

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ITH23C06J概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Zarlink Semiconductor (Microsemi)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	37 A
集电极-发射极最大电压	600 V
最大降落时间（tf）	300 ns
门极发射器阈值电压最大值	7.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-609代码	e0
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	80 W
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)

	ITH23C06J
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 37A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel,
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Zarlink Semiconductor (Microsemi)
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	37 A
集电极-发射极最大电压	600 V
最大降落时间（tf）	300 ns
门极发射器阈值电压最大值	7.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JESD-609代码	e0
最高工作温度	150 °C
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	80 W
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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