HY5DU1294022TC-8,HY5DU1294022TC-8 pdf中文资料,HY5DU1294022TC-8引脚图,HY5DU1294022TC-8电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> HY5DU1294022TC-8

HY5DU1294022TC-8: 产品描述DDR DRAM, 32MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小79KB，共10页; 制造商SK Hynix(海力士); 官网地址http://www.hynix.com/eng/

下载文档详细参数选型对比全文预览

HY5DU1294022TC-8概述

DDR DRAM, 32MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY5DU1294022TC-8规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	SK Hynix(海力士)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	TSOP2,
针数	66
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6
长度	22.225 mm
内存密度	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM
内存宽度	4
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	33554432 words
字数代码	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	32MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
宽度	10.16 mm

HY5DU1294022TC-8相似产品对比

	HY5DU1294022TC-8	HY5DU1294022TC-75	HY5DU1294022TC-10
描述	DDR DRAM, 32MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX4, 1.5ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66	DDR DRAM, 32MX4, 1.5ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	TSOP2,	TSOP2, TSSOP66,.46	TSOP2, TSSOP66,.46
针数	66	66	66
Reach Compliance Code	unknown	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
JESD-609代码	e6	e0	e0
长度	22.225 mm	22.225 mm	22.225 mm
内存密度	134217728 bit	134217728 bit	134217728 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM	DDR DRAM	DDR DRAM
内存宽度	4	4	4
功能数量	1	1	1
端口数量	1	1	1
端子数量	66	66	66
字数	33554432 words	33554432 words	33554432 words
字数代码	32000000	32000000	32000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX4	32MX4	32MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	1.2 mm	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子面层	TIN BISMUTH	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm
厂商名称	SK Hynix(海力士)	-	SK Hynix(海力士)
是否Rohs认证	-	不符合	不符合
最长访问时间	-	1.5 ns	1.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)	-	133 MHz	125 MHz
I/O 类型	-	COMMON	COMMON
交错的突发长度	-	2,4,8	2,4,8
输出特性	-	3-STATE	3-STATE
封装等效代码	-	TSSOP66,.46	TSSOP66,.46
峰值回流温度（摄氏度）	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	-	2.5,3.3 V	2.5,3.3 V
刷新周期	-	4096	4096
连续突发长度	-	2,4,8	2,4,8
处于峰值回流温度下的最长时间	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	-	1	1

推荐资源

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多