K4H1G0738B-TLAA0,K4H1G0738B-TLAA0 pdf中文资料,K4H1G0738B-TLAA0引脚图,K4H1G0738B-TLAA0电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 存储> 存储> K4H1G0738B-TLAA0

K4H1G0738B-TLAA0: 产品描述DDR DRAM Module, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACK, TSOP2-66; 产品类别存储存储; 文件大小191KB，共22页; 制造商SAMSUNG(三星); 官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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K4H1G0738B-TLAA0概述

DDR DRAM Module, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACK, TSOP2-66

K4H1G0738B-TLAA0规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2
包装说明	ATSOP,
针数	66
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm
内存密度	1073741824 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	66
字数	134217728 words
字数代码	128000000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128MX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ATSOP
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	225
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	2.59 mm
自我刷新	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	10.16 mm

K4H1G0738B-TLAA0相似产品对比

	K4H1G0738B-TLAA0	K4H1G0738B-TCAA0	K4H1G0638B-TLAA0	K4H1G0638B-TCAA0
描述	DDR DRAM Module, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACK, TSOP2-66	DDR DRAM Module, 128MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACK, TSOP2-66	DDR DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACK, TSOP2-66	DDR DRAM Module, 256MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, STACK, TSOP2-66
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	TSOP2	TSOP2	TSOP2	TSOP2
包装说明	ATSOP,	ATSOP,	ATSOP,	ATSOP,
针数	66	66	66	66
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compli
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66	R-PDSO-G66
长度	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm	22.22 mm
内存密度	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bit	1073741824 bi
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	8	8	4	4
功能数量	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1
端子数量	66	66	66	66
字数	134217728 words	134217728 words	268435456 words	268435456 words
字数代码	128000000	128000000	256000000	256000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	128MX8	128MX8	256MX4	256MX4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	ATSOP	ATSOP	ATSOP	ATSOP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE	SMALL OUTLINE, PIGGYBACK, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	2.59 mm	2.59 mm	2.59 mm	2.59 mm
自我刷新	YES	YES	YES	YES
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm	0.65 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30	30	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm	10.16 mm

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