SGH10N120RUFDTU,SGH10N120RUFDTU pdf中文资料,SGH10N120RUFDTU引脚图,SGH10N120RUFDTU电路-Datasheet-电子工程世界

SGH10N120RUFDTU: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小508KB，共8页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/; 标准

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SGH10N120RUFDTU概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 16A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	TO-3P
包装说明	TO-3P, 3 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)	16 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	200 ns
门极发射器阈值电压最大值	7.5 V
门极-发射极最大电压	25 V
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	125 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	280 ns
标称接通时间 (ton)	90 ns

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ