SGH15N120RUFTU,SGH15N120RUFTU pdf中文资料,SGH15N120RUFTU引脚图,SGH15N120RUFTU电路-Datasheet-电子工程世界

SGH15N120RUFTU: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小493KB，共7页; 制造商Fairchild; 官网地址http://www.fairchildsemi.com/; 标准

下载文档详细参数全文预览

SGH15N120RUFTU在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	SGH15N120RUFTU	-	-	点击查看	点击购买

Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-3P, 3 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Fairchild
零件包装代码	TO-3P
包装说明	TO-3P, 3 PIN
针数	2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW CONDUCTION LOSS, HIGH SPEED SWITCHING
最大集电极电流 (IC)	24 A
集电极-发射极最大电压	1200 V
配置	SINGLE
最大降落时间（tf）	400 ns
门极发射器阈值电压最大值	7.5 V
门极-发射极最大电压	25 V
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
JESD-609代码	e3
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	72 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	280 ns
标称接通时间 (ton)	90 ns

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

热门器件

开源项目推荐更多

热门活动更多

热门文章更多

技术资料推荐更多

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190