EEPROM, 64KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Silicon Laboratories Inc |
| 零件包装代码 | TSOP1 |
| 包装说明 | TSOP1, |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.B.2 |
| 最长访问时间 | 70 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 |
| 长度 | 12.4 mm |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 |
| 编程电压 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 |
| 宽度 | 8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms |
| SST29EE512-70-4C-WH | SST29EE512-70-4I-WH | SST29VE512-200-4I-WH | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 64KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32 | EEPROM, 64KX8, 70ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32 | EEPROM, 64KX8, 200ns, Parallel, CMOS, PDSO32, 8 X 14 MM, TSOP1-32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Silicon Laboratories Inc | Silicon Laboratories Inc | Silicon Laboratories Inc |
| 零件包装代码 | TSOP1 | TSOP1 | TSOP1 |
| 包装说明 | TSOP1, | TSOP1, | TSOP1, |
| 针数 | 32 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A991.B.1.B.2 | 3A991.B.1.B.2 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 70 ns | 70 ns | 200 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 | R-PDSO-G32 |
| 长度 | 12.4 mm | 12.4 mm | 12.4 mm |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 | 32 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | - | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSOP1 | TSOP1 | TSOP1 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 240 | 240 | NOT SPECIFIED |
| 编程电压 | 5 V | 5 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm | 1.2 mm | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 0.5 mm | 0.5 mm | 0.5 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 10 | 10 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 8 mm | 8 mm | 8 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 10 ms | 10 ms | 10 ms |
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