M87C257-90F3,M87C257-90F3 pdf中文资料,M87C257-90F3引脚图,M87C257-90F3电路-Datasheet-电子工程世界

M87C257-90F3: 产品描述32KX8 UVPROM, 90ns, CDIP28, LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-28; 产品类别存储存储; 文件大小196KB，共22页; 制造商ST(意法半导体); 官网地址http://www.st.com/; 标准

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M87C257-90F3概述

32KX8 UVPROM, 90ns, CDIP28, LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-28

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	ST(意法半导体)
零件包装代码	DIP
包装说明	LEAD FREE, CERAMIC, WINDOWED, FRIT SEALED, DIP-28
针数	28
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	90 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-CDIP-T28
JESD-609代码	e3
长度	36.92 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	UVPROM
内存宽度	8
功能数量	1
端子数量	28
字数	32768 words
字数代码	32000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	125 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	32KX8
输出特性	3-STATE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	WDIP
封装等效代码	DIP28,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE, WINDOW
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.72 mm
最大待机电流	0.0001 A
最大压摆率	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	AUTOMOTIVE
端子面层	Matte Tin (Sn)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	40
宽度	15.24 mm

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