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KM41V4000BLTR-7

产品描述Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20
产品类别存储    存储   
文件大小59KB,共1页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
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KM41V4000BLTR-7概述

Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20

KM41V4000BLTR-7规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码TSOP
包装说明TSOP2-R, TSSOP20/26,.36
针数20
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式FAST PAGE
最长访问时间70 ns
其他特性RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e0
长度17.14 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
功能数量1
端口数量1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2-R
封装等效代码TSSOP20/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
反向引出线YES
座面最大高度1.2 mm
自我刷新NO
最大待机电流0.00005 A
最大压摆率0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm
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