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UPD424100LGSM-A70

产品描述4MX1 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20
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文件大小994KB,共29页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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UPD424100LGSM-A70概述

4MX1 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20

UPD424100LGSM-A70规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PDSO-G20
JESD-609代码e0
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FAST PAGE DRAM
内存宽度1
端子数量20
字数4194304 words
字数代码4000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX1
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP20/26,.36
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期1024
反向引出线YES
自我刷新NO
最大待机电流0.0002 A
最大压摆率0.07 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.635 mm
端子位置DUAL

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