Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-257
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Microsemi |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3 |
Reach Compliance Code | unknown |
配置 | SINGLE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (ID) | 7 A |
最大漏源导通电阻 | 0.85 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-257 |
JESD-30 代码 | R-MSFM-P3 |
JESD-609代码 | e0 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | METAL |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子面层 | TIN LEAD |
端子形式 | PIN/PEG |
端子位置 | SINGLE |
晶体管元件材料 | SILICON |
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