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UPD441000LGZ-B70X-KJH

产品描述IC,SRAM,128KX8,CMOS,TSSOP,32PIN,PLASTIC
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文件大小169KB,共28页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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UPD441000LGZ-B70X-KJH概述

IC,SRAM,128KX8,CMOS,TSSOP,32PIN,PLASTIC

UPD441000LGZ-B70X-KJH规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间70 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e0
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-25 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行PARALLEL
电源3/3.3 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0003 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.025 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级OTHER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
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