WED3C755E8MF-300BI,WED3C755E8MF-300BI pdf中文资料,WED3C755E8MF-300BI引脚图,WED3C755E8MF-300BI电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 嵌入式处理器和控制器> 微控制器和处理器> WED3C755E8MF-300BI

WED3C755E8MF-300BI: 产品描述RISC Microprocessor, 300MHz, CMOS, CBGA255, 21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255; 产品类别嵌入式处理器和控制器微控制器和处理器; 文件大小357KB，共14页; 制造商White Electronic Designs Corporation; 官网地址http://www.wedc.com/

下载文档详细参数选型对比全文预览

WED3C755E8MF-300BI概述

RISC Microprocessor, 300MHz, CMOS, CBGA255, 21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255

WED3C755E8MF-300BI规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation
包装说明	21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255
Reach Compliance Code	unknown
地址总线宽度	32
边界扫描	NO
最大时钟频率	66 MHz
外部数据总线宽度	64
格式	FIXED POINT
集成缓存	YES
JESD-30 代码	R-CBGA-B255
低功率模式	YES
端子数量	255
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	BGA
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.85 mm
速度	300 MHz
最大供电电压	2.1 V
最小供电电压	1.9 V
标称供电电压	2 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子形式	BALL
端子节距	1.27 mm
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
uPs/uCs/外围集成电路类型	MICROPROCESSOR, RISC

WED3C755E8MF-300BI相似产品对比

	WED3C755E8MF-300BI	WED3C755E8MF-350BM	WED3C755E8MF-300BC	WED3C755E8MF-350BC
描述	RISC Microprocessor, 300MHz, CMOS, CBGA255, 21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255	RISC Microprocessor, 350MHz, CMOS, CBGA255, 21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255	RISC Microprocessor, 300MHz, CMOS, CBGA255, 21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255	RISC Microprocessor, 350MHz, CMOS, CBGA255, 21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation	White Electronic Designs Corporation
包装说明	21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255	21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255	21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255	21 X 25 MM, 3.90 MM HEIGHT, 1.27 MM PITCH, CERAMIC, BGA-255
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknow	unknow
地址总线宽度	32	32	32	32
边界扫描	NO	NO	NO	NO
最大时钟频率	66 MHz	66 MHz	66 MHz	66 MHz
外部数据总线宽度	64	64	64	64
格式	FIXED POINT	FIXED POINT	FIXED POINT	FIXED POINT
集成缓存	YES	YES	YES	YES
JESD-30 代码	R-CBGA-B255	R-CBGA-B255	R-CBGA-B255	R-CBGA-B255
低功率模式	YES	YES	YES	YES
端子数量	255	255	255	255
最高工作温度	85 °C	125 °C	70 °C	70 °C
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码	BGA	BGA	BGA	BGA
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.85 mm	3.85 mm	3.85 mm	3.85 mm
速度	300 MHz	350 MHz	300 MHz	350 MHz
最大供电电压	2.1 V	2.1 V	2.1 V	2.1 V
最小供电电压	1.9 V	1.9 V	1.9 V	1.9 V
标称供电电压	2 V	2 V	2 V	2 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	BALL	BALL	BALL	BALL
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
uPs/uCs/外围集成电路类型	MICROPROCESSOR, RISC	MICROPROCESSOR, RISC	MICROPROCESSOR, RISC	MICROPROCESSOR, RISC

WED3C755E8MF-300BI

WED3C755E8MF-300BI概述

WED3C755E8MF-300BI规格参数

WED3C755E8MF-300BI相似产品对比

推荐资源