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MAZ8033GHL

产品描述3.4 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小680KB,共8页
制造商Panasonic(松下)
官网地址http://www.panasonic.co.jp/semicon/e-index.html
标准
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MAZ8033GHL概述

3.4 V, 0.15 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

MAZ8033GHL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Panasonic(松下)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗130 Ω
JESD-30 代码R-PDSO-F2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.15 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压3.4 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差3.7%
工作测试电流5 mA

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This product complies with RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
Zener Diodes
MAZ8xxxG Series
Silicon planar type
For stabilization of power supply
Features
Extremely low noise voltage caused from the diode (2.4 V to
39V, 1/3 to 1/10 of our conventional MAZ3xxx series)
Extremely good rising performance (in the low-current range)
Easy-to-select the optimum diode because of their
finely
divided
zener-voltage ranks
Guaranteed reliability, equivalent to that of conventional products
(Mini type package)
Allowing to reduce the mounting area, thickness and weight
substantially, compared with those of the conventional products
Allowing both reflow and
flow
mode of automatic soldering
Allowing automatic mounting by an existing chip mounter
Package
Code
SMini2-F3
Name
Pin
1: Anode
2: Cathode
Absolute Maximum Ratings
T
a
= 25°C
Parameter
Repetitive peak forward current
Total power dissipation
*
Junction temperature
Storage temperature
Symbol
I
FRM
P
T
T
j
T
stg
–55 to +150
Note) *: P
T
= 150 mW achieved with a printed circuit board.
Zener rise operating resistance
Zener operating resistance
Reverse current
Ma
int
en
Zener voltage
*1
ce
Forward voltage
/D
Parameter
isc
on
Common Electrical Characteristics
T
a
= 25°C±3°C
Symbol
V
F
V
Z
R
ZK
R
Z
I
R
S
Z
pla nc
ea
ne lud
se
pla m d m es
ne ain ain foll
htt visit
d d te te ow
p:/ fo
/w llo dis isc nan nan ing
ww wi co on ce c fo
.se ng ntin tin ty e ty ur
mi UR ue ued pe pe Pro
co L a d t ty
du
n.p bo yp pe
ct
e
life
an ut
d
as lat
cy
on es
cle
ic. t in
sta
co fo
ge
.jp rm
.
/en at
/ ion
.
Refer to the list of the electrical
characteristics within part numbers
Rating
200
150
150
Unit
mA
°C
°C
mW
Conditions
Min
Typ
0.9
Max
1.0
I
F
= 10 mA
I
Z
I
Z
Specified value
Specified value
Specified value
Specified value
I
Z
V
R
I
Z
Specified value
Refer to the list of the
electrical characteristics
within part numbers
M
ain
Di
sc te
on na
tin nc
ue e/
d
tin
ue
di
an
Temperature coefficient of zener voltage
*2
2. Absolute frequency of input and output is 5 MHz.
3. The temperature must be controlled 25°C for V
Z
measurement.
V
Z
value measured at other temperature must be adjusted to V
Z
(25°C)
4. *1 : V
Z
guaranteed 20 ms after current
flow.
*2 : T
j
= 25°C to 150°C
Marking symbol
Unit
V
V
W
W
mA
mV/°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
Pl
Publication date: May 2009
SKE00032DED
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