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IXTY12N06TTRL

产品描述Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, 3/2 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小157KB,共5页
制造商IXYS
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IXTY12N06TTRL概述

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 60V, 0.085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, TO-252, 3/2 PIN

IXTY12N06TTRL规格参数

参数名称属性值
厂商名称IXYS
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)20 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.085 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-252AA
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)30 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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