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IDT71B88S8TP

产品描述Standard SRAM, 16KX4, 8ns, BICMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22
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文件大小141KB,共5页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT71B88S8TP概述

Standard SRAM, 16KX4, 8ns, BICMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22

IDT71B88S8TP规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP22,.3
针数22
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间8 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T22
JESD-609代码e0
长度26.797 mm
内存密度65536 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量22
字数16384 words
字数代码16000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16KX4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP22,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.191 mm
最大待机电流0.2 A
最大压摆率0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术BICMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

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描述 Standard SRAM, 16KX4, 8ns, BICMOS, PDIP22, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-22 Standard SRAM, 16KX4, 8ns, BICMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24 Standard SRAM, 16KX4, 15ns, BICMOS, CDIP22, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-22 Standard SRAM, 16KX4, 12ns, BICMOS, CDIP22, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-22 Standard SRAM, 16KX4, 10ns, BICMOS, CDIP22, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-22 Standard SRAM, 16KX4, 8ns, BICMOS, CDIP22, 0.300 INCH, HERMETIC SEALED, SIDE BRAZED, DIP-22 Standard SRAM, 16KX4, 8ns, BICMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP SOJ DIP DIP DIP DIP SOJ
包装说明 DIP, DIP22,.3 SOJ, DIP, DIP22,.3 DIP, DIP22,.3 DIP, DIP22,.3 DIP, DIP22,.3 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-24
针数 22 24 22 22 22 22 24
Reach Compliance Code not_compliant compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C 3A001.A.2.C EAR99 EAR99
最长访问时间 8 ns 8 ns 15 ns 12 ns 10 ns 8 ns 8 ns
JESD-30 代码 R-PDIP-T22 R-PDSO-J24 R-CDIP-T22 R-CDIP-T22 R-CDIP-T22 R-CDIP-T22 R-PDSO-J24
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 26.797 mm 15.88 mm 27.432 mm 27.432 mm 27.432 mm 27.432 mm 15.88 mm
内存密度 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit 65536 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 22 24 22 22 22 22 24
字数 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words 16384 words
字数代码 16000 16000 16000 16000 16000 16000 16000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 125 °C 125 °C 125 °C 70 °C 70 °C
组织 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4 16KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO NO NO NO NO NO
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOJ DIP DIP DIP DIP SOJ
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.191 mm 3.76 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 3.76 mm
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES NO NO NO NO YES
技术 BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS BICMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL MILITARY MILITARY MILITARY COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式 THROUGH-HOLE J BEND THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE J BEND
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 -
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) - IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
I/O 类型 COMMON - COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
封装等效代码 DIP22,.3 - DIP22,.3 DIP22,.3 DIP22,.3 DIP22,.3 SOJ24,.34
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED 225 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
电源 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
最大待机电流 0.2 A - 0.17 A 0.17 A 0.19 A 0.2 A 0.2 A
最大压摆率 0.2 mA - 0.17 mA 0.17 mA 0.19 mA 0.2 mA 0.2 mA
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED 30 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
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