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SDF4N60JABXHSZ

产品描述Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小68KB,共1页
制造商Solitron Devices Inc
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SDF4N60JABXHSZ概述

Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254Z, 3 PIN

SDF4N60JABXHSZ规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Solitron Devices Inc
零件包装代码TO-254Z
包装说明FLANGE MOUNT, S-MSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codeunknown
其他特性CUSTOM BENT LEAD OPTIONS ARE AVAILABLE
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)4 A
最大漏源导通电阻2.1 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-MSFM-T3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)16 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)140 ns
最大开启时间(吨)65 ns
modelsim 调用verilog IP核 没有结果
[table=98%][tr][td]各位大神 大家好 我现在刚学习Veriolg 遇到一个问题我的程序如下module work6(clk,add_sub,a,b,result);input clk;input add_sub;input[7:0] a;input[7:0] b;//input[7:0] a;//input[7:0] b;output[7:0] result;wire[7:0] ...
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