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M470L3324BU0-LB3

产品描述DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200
产品类别存储    存储   
文件大小285KB,共20页
制造商SAMSUNG(三星)
官网地址http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
标准  
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M470L3324BU0-LB3概述

DDR DRAM Module, 32MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

M470L3324BU0-LB3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称SAMSUNG(三星)
零件包装代码SODIMM
包装说明DIMM, DIMM200,24
针数200
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间0.7 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)166 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XZMA-N200
内存密度2147483648 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
湿度敏感等级2
功能数量1
端口数量1
端子数量200
字数33554432 words
字数代码32000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织32MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM200,24
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2.5 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
自我刷新YES
最大压摆率1.62 mA
最大供电电压 (Vsup)2.7 V
最小供电电压 (Vsup)2.3 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间40
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