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MT8JTF12864HIZ-1G4XX

产品描述DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, SODIMM-204
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文件大小368KB,共17页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT8JTF12864HIZ-1G4XX概述

DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, SODIMM-204

MT8JTF12864HIZ-1G4XX规格参数

参数名称属性值
厂商名称Micron Technology
包装说明DIMM,
Reach Compliance Codecompliant
访问模式SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性SELF REFRESH; WD-MAX
JESD-30 代码R-XDMA-N204
长度67.6 mm
内存密度8589934592 bit
内存集成电路类型DDR DRAM MODULE
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量204
字数134217728 words
字数代码128000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装代码DIMM
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
座面最大高度30.15 mm
自我刷新YES
最大供电电压 (Vsup)1.575 V
最小供电电压 (Vsup)1.425 V
标称供电电压 (Vsup)1.5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式NO LEAD
端子节距0.6 mm
端子位置DUAL
宽度3.8 mm

MT8JTF12864HIZ-1G4XX相似产品对比

MT8JTF12864HIZ-1G4XX MT8JTF12864HIZ-1G6XX MT8JTF25664HIZ-1G4XX MT8JTF25664HZ-1G4M1 MT8JTF25664HZ-1G9XX
描述 DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, SODIMM-204 DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, SODIMM-204
包装说明 DIMM, DIMM, DIMM, DIMM, DIMM,
Reach Compliance Code compliant compli compliant unknown compliant
访问模式 SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST SINGLE BANK PAGE BURST
其他特性 SELF REFRESH; WD-MAX SELF REFRESH; WD-MAX SELF REFRESH; WD-MAX AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX SELF REFRESH; WD-MAX
长度 67.6 mm 67.6 mm 67.6 mm 67.6 mm 67.6 mm
内存密度 8589934592 bit 8589934592 bi 17179869184 bit 17179869184 bit 17179869184 bit
内存集成电路类型 DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE DDR DRAM MODULE
内存宽度 64 64 64 64 64
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
字数 134217728 words 134217728 words 268435456 words 268435456 words 268435456 words
字数代码 128000000 128000000 256000000 256000000 256000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 70 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C - -
组织 128MX64 128MX64 256MX64 256MX64 256MX64
封装代码 DIMM DIMM DIMM DIMM DIMM
座面最大高度 30.15 mm 30.15 mm 30.15 mm 30.15 mm 30.15 mm
自我刷新 YES YES YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V 1.575 V
最小供电电压 (Vsup) 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V 1.425 V
标称供电电压 (Vsup) 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V 1.5 V
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
宽度 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm 3.8 mm
JESD-30 代码 R-XDMA-N204 R-XDMA-N204 R-XDMA-N204 - R-XDMA-N204
端子数量 204 204 204 - 204
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED - UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY - MICROELECTRONIC ASSEMBLY
表面贴装 NO NO NO - NO
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD - NO LEAD
端子节距 0.6 mm 0.6 mm 0.6 mm - 0.6 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL - DUAL
Objectid - - 1155410566 1155410570 1155410573
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99
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