DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, SODIMM-204
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Micron Technology |
包装说明 | DIMM, |
Reach Compliance Code | compliant |
访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST |
其他特性 | SELF REFRESH; WD-MAX |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N204 |
长度 | 67.6 mm |
内存密度 | 8589934592 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 204 |
字数 | 134217728 words |
字数代码 | 128000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128MX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIMM |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
座面最大高度 | 30.15 mm |
自我刷新 | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子形式 | NO LEAD |
端子节距 | 0.6 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 3.8 mm |
MT8JTF12864HIZ-1G4XX | MT8JTF12864HIZ-1G6XX | MT8JTF25664HIZ-1G4XX | MT8JTF25664HZ-1G4M1 | MT8JTF25664HZ-1G9XX | |
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描述 | DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, SODIMM-204 | DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, SODIMM-204 | DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, SODIMM-204 | DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, SODIMM-204 | DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, SODIMM-204 |
包装说明 | DIMM, | DIMM, | DIMM, | DIMM, | DIMM, |
Reach Compliance Code | compliant | compli | compliant | unknown | compliant |
访问模式 | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST | SINGLE BANK PAGE BURST |
其他特性 | SELF REFRESH; WD-MAX | SELF REFRESH; WD-MAX | SELF REFRESH; WD-MAX | AUTO/SELF REFRESH; WD-MAX | SELF REFRESH; WD-MAX |
长度 | 67.6 mm | 67.6 mm | 67.6 mm | 67.6 mm | 67.6 mm |
内存密度 | 8589934592 bit | 8589934592 bi | 17179869184 bit | 17179869184 bit | 17179869184 bit |
内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE | DDR DRAM MODULE |
内存宽度 | 64 | 64 | 64 | 64 | 64 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
字数 | 134217728 words | 134217728 words | 268435456 words | 268435456 words | 268435456 words |
字数代码 | 128000000 | 128000000 | 256000000 | 256000000 | 256000000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 70 °C | 70 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | - | - |
组织 | 128MX64 | 128MX64 | 256MX64 | 256MX64 | 256MX64 |
封装代码 | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM | DIMM |
座面最大高度 | 30.15 mm | 30.15 mm | 30.15 mm | 30.15 mm | 30.15 mm |
自我刷新 | YES | YES | YES | YES | YES |
最大供电电压 (Vsup) | 1.575 V | 1.575 V | 1.575 V | 1.575 V | 1.575 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.425 V | 1.425 V | 1.425 V | 1.425 V | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup) | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V | 1.5 V |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
宽度 | 3.8 mm | 3.8 mm | 3.8 mm | 3.8 mm | 3.8 mm |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N204 | R-XDMA-N204 | R-XDMA-N204 | - | R-XDMA-N204 |
端子数量 | 204 | 204 | 204 | - | 204 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | - | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | - | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
表面贴装 | NO | NO | NO | - | NO |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD | NO LEAD | - | NO LEAD |
端子节距 | 0.6 mm | 0.6 mm | 0.6 mm | - | 0.6 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - | DUAL |
Objectid | - | - | 1155410566 | 1155410570 | 1155410573 |
ECCN代码 | - | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
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