Non-Volatile SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS,
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Benchmarq Microelectronics Inc |
Reach Compliance Code | unknown |
最长访问时间 | 85 ns |
其他特性 | POWER SUPPLY WRITE PROTECTION |
JESD-30 代码 | R-XDMA-T40 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 16 |
功能数量 | 1 |
端口数量 | 1 |
端子数量 | 40 |
字数 | 262144 words |
字数代码 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE |
可输出 | YES |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP40,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V |
认证状态 | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.005 A |
最大压摆率 | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
BQ4025YMB-85 | BQ4025MB-120 | BQ4025MB-85 | BQ4025YMB-120 | |
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描述 | Non-Volatile SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, | Non-Volatile SRAM, 256KX16, 120ns, CMOS, | Non-Volatile SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, | Non-Volatile SRAM, 256KX16, 120ns, CMOS, |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown |
最长访问时间 | 85 ns | 120 ns | 85 ns | 120 ns |
其他特性 | POWER SUPPLY WRITE PROTECTION | POWER SUPPLY WRITE PROTECTION | POWER SUPPLY WRITE PROTECTION | POWER SUPPLY WRITE PROTECTION |
JESD-30 代码 | R-XDMA-T40 | R-XDMA-T40 | R-XDMA-T40 | R-XDMA-T40 |
JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 |
内存密度 | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit | 4194304 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM |
内存宽度 | 16 | 16 | 16 | 16 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 40 | 40 | 40 | 40 |
字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
组织 | 256KX16 | 256KX16 | 256KX16 | 256KX16 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
可输出 | YES | YES | YES | YES |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装代码 | DIP | DIP | DIP | DIP |
封装等效代码 | DIP40,.6 | DIP40,.6 | DIP40,.6 | DIP40,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.005 A | 0.005 A | 0.005 A | 0.005 A |
最大压摆率 | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA | 0.2 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.75 V | 4.75 V | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | NO | NO | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
厂商名称 | Benchmarq Microelectronics Inc | - | Benchmarq Microelectronics Inc | Benchmarq Microelectronics Inc |
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