ZBT SRAM, 128KX64, 10ns
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 10 ns |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N160 |
JESD-609代码 | e0 |
内存密度 | 8388608 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM |
内存宽度 | 64 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 160 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C |
最低工作温度 | |
组织 | 128KX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 |
认证状态 | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
IDT7MBV4153SA66 | IDT7MBV4154SA100 | |
---|---|---|
描述 | ZBT SRAM, 128KX64, 10ns | ZBT SRAM, 128KX64, 5ns |
是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | IDT (Integrated Device Technology) | IDT (Integrated Device Technology) |
Reach Compliance Code | compliant | compliant |
ECCN代码 | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
最长访问时间 | 10 ns | 5 ns |
JESD-30 代码 | R-XDMA-N160 | R-XDMA-N160 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
内存密度 | 8388608 bit | 8388608 bit |
内存集成电路类型 | ZBT SRAM | ZBT SRAM |
内存宽度 | 64 | 64 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 160 | 160 |
字数 | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
组织 | 128KX64 | 128KX64 |
封装主体材料 | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | 225 | 225 |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
最大供电电压 (Vsup) | 3.45 V | 3.45 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3.15 V | 3.15 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | NO | NO |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | NO LEAD | NO LEAD |
端子位置 | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 |
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