Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) |
| 零件包装代码 | LCC |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC18,.33X.53 |
| 针数 | 18 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE |
| 最长访问时间 | 100 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J18 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 12.45 mm |
| 内存密度 | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 18 |
| 字数 | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC18,.33X.53 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 |
| 座面最大高度 | 3.5 mm |
| 最大压摆率 | 0.065 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.25 mm |
| M5M4256AJ-10 | M5M4256AP-85 | M5M4256AP-15 | M5M4256AL-15 | M5M4256AJ-85 | M5M4256AJ-15 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | Page Mode DRAM, 256KX1, 100ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18 | Page Mode DRAM, 256KX1, 85ns, NMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16 | Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PDIP16, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-16 | Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PZIP16, 0.325 INCH, PLASTIC, ZIP-16 | Page Mode DRAM, 256KX1, 85ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18 | Page Mode DRAM, 256KX1, 150ns, NMOS, PQCC18, PLASTIC, LCC-18 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) | Mitsubishi(日本三菱) |
| 零件包装代码 | LCC | DIP | DIP | ZIP | LCC | LCC |
| 包装说明 | QCCJ, LDCC18,.33X.53 | DIP, DIP16,.3 | DIP, DIP16,.3 | ZIP, ZIP16,.1 | QCCJ, LDCC18,.33X.53 | QCCJ, LDCC18,.33X.53 |
| 针数 | 18 | 16 | 16 | 16 | 18 | 18 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 访问模式 | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE | PAGE |
| 最长访问时间 | 100 ns | 85 ns | 150 ns | 150 ns | 85 ns | 150 ns |
| 其他特性 | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
| I/O 类型 | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE | SEPARATE |
| JESD-30 代码 | R-PQCC-J18 | R-PDIP-T16 | R-PDIP-T16 | R-PZIP-T16 | R-PQCC-J18 | R-PQCC-J18 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 12.45 mm | 19 mm | 19 mm | 20.15 mm | 12.45 mm | 12.45 mm |
| 内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
| 内存集成电路类型 | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM | PAGE MODE DRAM |
| 内存宽度 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 18 | 16 | 16 | 16 | 18 | 18 |
| 字数 | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words | 262144 words |
| 字数代码 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 | 256000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 | 256KX1 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | QCCJ | DIP | DIP | ZIP | QCCJ | QCCJ |
| 封装等效代码 | LDCC18,.33X.53 | DIP16,.3 | DIP16,.3 | ZIP16,.1 | LDCC18,.33X.53 | LDCC18,.33X.53 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | CHIP CARRIER | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER | CHIP CARRIER |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 256 | 256 | 256 | 256 | 256 | 256 |
| 座面最大高度 | 3.5 mm | 4.5 mm | 4.5 mm | 8.3 mm | 3.5 mm | 3.5 mm |
| 最大压摆率 | 0.065 mA | 0.07 mA | 0.055 mA | 0.055 mA | 0.07 mA | 0.055 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | NO | NO | NO | YES | YES |
| 技术 | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | J BEND | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | J BEND | J BEND |
| 端子节距 | 1.27 mm | 2.54 mm | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | QUAD | DUAL | DUAL | ZIG-ZAG | QUAD | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 7.25 mm | 7.62 mm | 7.62 mm | 2.8 mm | 7.25 mm | 7.25 mm |
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