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MT47H64M8GB-25:B

产品描述DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 12 X 10 MM, FBGA-60
产品类别存储    存储   
文件大小9MB,共139页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT47H64M8GB-25:B概述

DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 12 X 10 MM, FBGA-60

MT47H64M8GB-25:B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
零件包装代码BGA
包装说明12 X 10 MM, FBGA-60
针数60
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间0.4 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)400 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度4,8
JESD-30 代码R-PBGA-B60
JESD-609代码e0
长度12 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型DDR DRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量60
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织64MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装等效代码BGA60,9X11,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度)235
电源1.8 V
认证状态Not Qualified
刷新周期8192
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度4,8
最大待机电流0.007 A
最大压摆率0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead/Silver (Sn/Pb/Ag)
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间30
宽度10 mm

文档预览

下载PDF文档
512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
Features
DDR2 SDRAM
MT47H128M4 – 32 Meg x 4 x 4 banks
MT47H64M8 – 16 Meg x 8 x 4 banks
MT47H32M16 – 8 Meg x 16 x 4 banks
Features
Vdd = +1.8V ±0.1V, VddQ = +1.8V ±0.1V
JEDEC-standard 1.8V I/O (SSTL_18-compatible)
Differential data strobe (DQS, DQS#) option
4n-bit prefetch architecture
Duplicate output strobe (RDQS) option for x8
DLL to align DQ and DQS transitions with CK
4 internal banks for concurrent operation
Programmable CAS latency (CL)
Posted CAS additive latency (AL)
WRITE latency = READ latency - 1
t
CK
Selectable burst lengths: 4 or 8
Adjustable data-output drive strength
64ms, 8,192-cycle refresh
On-die termination (ODT)
Industrial temperature (IT) option
Automotive temperature (AT) option
RoHS compliant
Supports JEDEC clock jitter specification
Options
1
Configuration
256 Meg x 4 (32 Meg x 4 x 4 banks)
128 Meg x 8 (16 Meg x 8 x 4 banks)
64 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banks)
FBGA package (Pb-free) – x16
84-ball FBGA (12mm x 12.5mm) Rev. B
84-ball FBGA (10mm x 12.5mm) Rev. D
84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev. F
FBGA package (Pb-free) – x4, x8
60-ball FBGA (12mm x 10mm) Rev. B
60-ball FBGA (10mm x 10mm) Rev. D
60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. F
FBGA package (lead solder) – x16
84-ball FBGA (12mm x 12.5mm) Rev. B
84-ball FBGA (10mm x 12.5mm) Rev. D
84-ball FBGA (8mm x 12.5mm) Rev. F
FBGA package (lead solder) – x4, x8
60-ball FBGA (12mm x 10mm) Rev. B
60-ball FBGA (10mm x 10mm) Rev. D
60-ball FBGA (8mm x 10mm) Rev. F
Timing – cycle time
2.5ns @ CL = 5 (DDR2-800)
2.5ns @ CL = 6 (DDR2-800)
3.0ns @ CL = 4 (DDR2-667)
3.0ns @ CL = 5 (DDR2-667)
3.75ns @ CL = 4 (DDR2-533)
Self refresh
Standard
Low-power
Operating temperature
Commercial (0°C
T
C
85°C)
Industrial (–40°C
T
C
95°C;
–40°C
T
A
85°C)
Automotive, Revision :D only
(–40°C
T
C
, T
A
105°C)
Revision
Note:
Marking
128M4
64M8
32M16
CC
BN
HR
CB
B6
CF
GC
FN
HW
GB
F6
JN
-25E
-25
-3E
-3
-37E
None
L
None
IT
AT
:B/:D/:F
1. Not all options listed can be combined to
define an offered product. Use the Part
Catalog Search on
www.micron.com
for
product offerings and availability.
PDF: 09005aef82f1e6e2
Rev. N 1/09 EN
1
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
©
2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
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