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UPD44165084AF5-E40-EQ2-A

产品描述2MX8 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小588KB,共42页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
标准  
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UPD44165084AF5-E40-EQ2-A概述

2MX8 QDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, LEAD FREE, PLASTIC, BGA-165

UPD44165084AF5-E40-EQ2-A规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码BGA
包装说明LBGA, BGA165,11X15,40
针数165
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)250 MHz
I/O 类型SEPARATE
JESD-30 代码R-PBGA-B165
JESD-609代码e1
长度15 mm
内存密度16777216 bit
内存集成电路类型QDR SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LBGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, LOW PROFILE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.51 mm
最大待机电流0.28 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.68 mA
最大供电电压 (Vsup)1.9 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度13 mm

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To our customers,
Old Company Name in Catalogs and Other Documents
On April 1
st
, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology
Corporation, and Renesas
Electronics Corporation
took over all the business of both
companies.
Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid
Renesas
Electronics document. We appreciate your understanding.
Renesas Electronics website: http://www.renesas.com
April 1
st
, 2010
Renesas Electronics Corporation
Issued by:
Renesas Electronics Corporation
(http://www.renesas.com)
Send any inquiries to http://www.renesas.com/inquiry.

 
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