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1N4446.TR

产品描述100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小50KB,共2页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数

1N4446.TR概述

100V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N4446.TR规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最大输出电流0.15 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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