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TC55V8128BJI-10

产品描述IC 128K X 8 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM
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文件大小362KB,共10页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC55V8128BJI-10概述

IC 128K X 8 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM

TC55V8128BJI-10规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码SOJ
包装说明SOJ, SOJ32,.44
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间10 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-J32
JESD-609代码e0
长度20.96 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型CACHE SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOJ
封装等效代码SOJ32,.44
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行PARALLEL
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度3.7 mm
最大待机电流0.002 A
最小待机电流3 V
最大压摆率0.21 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

TC55V8128BJI-10相似产品对比

TC55V8128BJI-10 TC55V8128BJI-12
描述 IC 128K X 8 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM IC 128K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
零件包装代码 SOJ SOJ
包装说明 SOJ, SOJ32,.44 SOJ, SOJ32,.44
针数 32 32
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 10 ns 12 ns
I/O 类型 COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDSO-J32 R-PDSO-J32
JESD-609代码 e0 e0
长度 20.96 mm 20.96 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 CACHE SRAM CACHE SRAM
内存宽度 8 8
功能数量 1 1
端子数量 32 32
字数 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOJ SOJ
封装等效代码 SOJ32,.44 SOJ32,.44
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
电源 3.3 V 3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 3.7 mm 3.7 mm
最大待机电流 0.002 A 0.002 A
最小待机电流 3 V 3 V
最大压摆率 0.21 mA 0.17 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 J BEND J BEND
端子节距 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
宽度 10.16 mm 10.16 mm
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