IC 128K X 8 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | SOJ |
包装说明 | SOJ, SOJ32,.44 |
针数 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B |
最长访问时间 | 10 ns |
I/O 类型 | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 20.96 mm |
内存密度 | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM |
内存宽度 | 8 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 32 |
字数 | 131072 words |
字数代码 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 128KX8 |
输出特性 | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ |
封装等效代码 | SOJ32,.44 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL |
电源 | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.7 mm |
最大待机电流 | 0.002 A |
最小待机电流 | 3 V |
最大压摆率 | 0.21 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
宽度 | 10.16 mm |
TC55V8128BJI-10 | TC55V8128BJI-12 | |
---|---|---|
描述 | IC 128K X 8 CACHE SRAM, 10 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM | IC 128K X 8 CACHE SRAM, 12 ns, PDSO32, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-32, Static RAM |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
零件包装代码 | SOJ | SOJ |
包装说明 | SOJ, SOJ32,.44 | SOJ, SOJ32,.44 |
针数 | 32 | 32 |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
ECCN代码 | 3A991.B.2.B | 3A991.B.2.B |
最长访问时间 | 10 ns | 12 ns |
I/O 类型 | COMMON | COMMON |
JESD-30 代码 | R-PDSO-J32 | R-PDSO-J32 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
长度 | 20.96 mm | 20.96 mm |
内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit |
内存集成电路类型 | CACHE SRAM | CACHE SRAM |
内存宽度 | 8 | 8 |
功能数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 32 | 32 |
字数 | 131072 words | 131072 words |
字数代码 | 128000 | 128000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
组织 | 128KX8 | 128KX8 |
输出特性 | 3-STATE | 3-STATE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOJ | SOJ |
封装等效代码 | SOJ32,.44 | SOJ32,.44 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
电源 | 3.3 V | 3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 3.7 mm | 3.7 mm |
最大待机电流 | 0.002 A | 0.002 A |
最小待机电流 | 3 V | 3 V |
最大压摆率 | 0.21 mA | 0.17 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
表面贴装 | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | J BEND | J BEND |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL |
宽度 | 10.16 mm | 10.16 mm |
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