Flash, 64KX8, 90ns, CDIP32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP32,.6 |
| 针数 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 90 ns |
| 其他特性 | BULK ERASE |
| 命令用户界面 | YES |
| 数据轮询 | NO |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T32 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 42.1005 mm |
| 内存密度 | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 32 |
| 字数 | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V |
| 编程电压 | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.588 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 类型 | NOR TYPE |
| 宽度 | 15.24 mm |
| AM28F512-90/BXA | AM28F512-90/BUA | |
|---|---|---|
| 描述 | Flash, 64KX8, 90ns, CDIP32, HERMETIC SEALED, CERAMIC, DIP-32 | Flash, 64KX8, 90ns, CQCC32, CERAMIC, LCC-32 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | AMD(超微) | AMD(超微) |
| 零件包装代码 | DIP | QFJ |
| 包装说明 | DIP, DIP32,.6 | QCCN, LCC32,.45X.55 |
| 针数 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | 3A001.A.2.C | 3A001.A.2.C |
| 最长访问时间 | 90 ns | 90 ns |
| 其他特性 | BULK ERASE | BULK ERASE |
| 命令用户界面 | YES | YES |
| 数据轮询 | NO | NO |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-GDIP-T32 | R-CQCC-N32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 42.1005 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 524288 bit | 524288 bit |
| 内存集成电路类型 | FLASH | FLASH |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 |
| 字数 | 65536 words | 65536 words |
| 字数代码 | 64000 | 64000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 组织 | 64KX8 | 64KX8 |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码 | DIP | QCCN |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 | LCC32,.45X.55 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 5 V | 5 V |
| 编程电压 | 12 V | 12 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 筛选级别 | 38535Q/M;38534H;883B | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度 | 5.588 mm | 2.54 mm |
| 最大待机电流 | 0.0001 A | 0.0001 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO | NO |
| 类型 | NOR TYPE | NOR TYPE |
| 宽度 | 15.24 mm | 11.43 mm |
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